SNDMによるFlash Memoryの蓄積電荷の視覚化

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM06007

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2006/06/28

タイトル(英語): Visualization using scanning nonlinear dielectric microscopy of electrons and holes localized in the thin gate film of a metal-SiO2-Si3N4-SiO2-semiconductor flash memory

著者名: 本多 耕一郎(㈱富士通研究所),長 康雄(東北大学)

著者名(英語): Koichiro HONDA(Fujitsu Laboratories Ltd.),Yasuo CHO(Tohoku University)

キーワード: 非線形誘電率顕微鏡|Flashメモリ|MONOS|蓄電荷

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 861 Kバイト