SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるヘテロ界面のホットキャリア局所劣化

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM06015

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2006/10/03

タイトル(英語): Hot-Carrier-Degradation of Hetero-Interface in SiGe/Si-Hetero-MOSFETs

著者名: 土屋 敏章(島根大学総合理工学部),櫻庭 政夫(東北大学電気通信研究所),室田 淳一(東北大学電気通信研究所)

著者名(英語): Toshiaki Tsuchiya(Shimane University),Masao Sakuraba(Tohoku University),Junichi Murota(Tohoku University)

キーワード: SiGe| MOSFET| ホットキャリア|チャージポンピング|ヘテロ界面準位|信頼性

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 952 Kバイト