SiGeC HBTの真性及び外部ベースのプロセス設計

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM06016

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2006/10/03

タイトル(英語): Design of Intrinsic and Extrinsic Base Process of SiGeC HBT

著者名: 清田 幸弘(ソニー),山縣 秀夫(そにーせみこんだくた九州)

著者名(英語): Yukihiro Kiyota(SONY),Hideo Yamagata Semiconductor Kyusyu (SONY Semiconductor Kyusyu)

キーワード: ブランケットSiGeCエピタキシャル成長|ヘテロ接合バイポーラトランジスタ|真性ベース|外部ベース

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 726 Kバイト