スピントロニクス用強磁性シリサイド(Fe3Si)/SiGeの低温形成

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM06017

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2006/10/03

タイトル(英語): Low Temperature Epitaxy of Fe3Si/SiGe for Spintronics

著者名: 佐道泰造 (九州大学),上田 公二(九州大学),熊野 守(九州大学),宮尾 正信(九州大学)

著者名(英語): Taizoh Sadoh(Kyushu University),Koji Ueda(Kyushu University),Mamoru Kumano(Kyushu University),Masanobu MIYAO(Kyushu University)

キーワード: シリサイド強磁性体|Fe3Si|分子ビームエピタキシー法

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 849 Kバイト