スパッタエピタキシー技術と量子効果デバイスへの応用

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM06018

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2006/10/03

タイトル(英語): SiGe Sputter Epitaxy and Its Application to Quantum Effect Devices

著者名: 須田 良幸(東京農工大学),花房 宏明(東京農工大学),小林 忠正(東京農工大学),高橋 陽一(東京農工大学),前川 裕隆(東京農工大学)

著者名(英語): Yoshiyuki Suda(Tokyo University of Agriculture and Technology),Hiroaki Hanabusa(Tokyo University of Agriculture and Technology),Tadamasa Kobayashi(Tokyo University of Agriculture and Technology),Yoichi Takahashi(Tokyo University of Agriculture and Technology),Hirotaka Maekawa(Tokyo University of Agriculture and Technology)

キーワード: SiGe| CMOS| スパッタ|エピタキシ|環境負荷|量子効果デバイス|共鳴トンネルダイオード

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 694 Kバイト