仮想Ge基板上におけるGe1-xSnxバッファ層の歪および転位構造制御

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM06019

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2006/10/03

タイトル(英語): Control of strain and dislocation structures in Ge1-x-Snx buffer layers on virtual Ge substrates

著者名: 竹内 正太郎(名古屋大学),酒井 朗(名古屋大学),中塚 理(名古屋大学),小川 正毅(名古屋大学),財満鎭明 (名古屋大学)

著者名(英語): Shotaro Takeuchi(Nagoya University),Akira Sakai(Nagoya University),Osamu Nakatsuka(Nagoya University),Masaki Ogawa(Nagoya University),Shigeaki Zaima(Nagoya University)

キーワード: ゲルマニウムスズ|転位|歪緩和

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,691 Kバイト