極薄SiGeバッファー層を用いたSi(100)基板上へのGeヘテロエピタキシャル成長

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM06020

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2006/10/03

タイトル(英語): Growth of high quality Ge epitaxial layer on Si(100) substrate using ultra thin Si0.5Ge0.5 buffer

著者名: 中津留 順子(キヤノンアネルバ株式会社),伊達 大樹(キヤノンアネルバ株式会社),真白すぴか (キヤノンアネルバ株式会社),池本 学(キヤノンアネルバ株式会社)

著者名(英語): Junko Nakatsuru(Canon Anelva Corporation),Hiroki Date(Canon Anelva Corporation),Supika Mashiro(Canon Anelva Corporation),Manabu Ikemoto(Canon Anelva Corporation)

キーワード: エピタキシャル成長|ゲルマニウム|シリコンゲルマニウム|バッファー層

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 964 Kバイト