Cl系-Si系混合ガスを用いたエピ前低温表面処理法の検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM06021

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2006/10/03

タイトル(英語): A Study on Low-Temperature Pre-Epi Surface Treatment Using Cl-based and Si-based Gas Mixture

著者名: 王杰 (日立国際電気),山本 克彦(日立国際電気),森谷 敦(日立国際電気),橋場 祥晶(日立国際電気),井ノ口 泰啓(日立国際電気),国井 泰夫(日立国際電気)

著者名(英語): Jie Wang(Hitachi Kokusai Electric Inc.),Katsuhiko Yamamoto(Hitachi Kokusai Electric Inc.),Atsushi Moriya(Hitachi Kokusai Electric Inc.),Yoshiaki Hashiba(Hitachi Kokusai Electric Inc.),Yasuhiro Inokuchi(Hitachi Kokusai Electric Inc.),Yasuo Kunii(Hitachi Kokusai Electric Inc.)

キーワード: 減圧化学気相成長|エピタキシャル成長|前処理|表面清浄化|低温|選択成長|シリコンゲルマニウム|多結晶シリコン|エッチング

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 580 Kバイト