ECRプラズマCVDによるIV族半導体エピタキシャル成長

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM06023

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2006/10/03

タイトル(英語): Epitaxial Growth of Group IV Semiconductor in ECR Plasma Enhanced CVD

著者名: 櫻庭 政夫(東北大学),武藤大祐 (東北大学),森 聖樹(東北大学),菅原 勝俊(東北大学),室田 淳一(東北大学)

著者名(英語): Masao Sakuraba(Tohoku University),Daisuke Muto(Tohoku University),Masaki Mori(Tohoku University),Katsutoshi Sugawara(Tohoku University),Junichi Murota(Tohoku University)

キーワード: Si|Ge| エピタキシャル成長|プラズマ化学気相成長|SiH4|Si(100)

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 924 Kバイト