Si基板上SiC極薄膜の低温形成とユビキタスデバイスへの応用

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM06024

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2006/10/03

タイトル(英語): Low-temperature formation of ultrathin SiC films on Si substrates and its application to ubiquitous devices

著者名: 末光 眞希(東北大学),今野 篤史(東北大学),伊藤 隆(東北大学),遠藤哲郎 (東北大学),成田克 (九州工業大学),安井 寛治(長岡技術科学大学),中澤 日出樹(弘前大学)

著者名(英語): Maki Suemitsu(Tohoku University),Atsushi Konno(Tohoku University),Takashi Itoh(Tohoku University),Tetsuo Endoh(Tohoku University),Yuzuru Naruta(Kyushu Institute of Technology),Kanji Yasui(Nagaoka Univ. of Technology),Hideki Nakazawa(Hirosaki University)

キーワード: ユビキタス社会|ネットワーク|炭化ケイ素|ヘテロエピタキシ|有機シラン|ガスソースMBE|SiC/Si

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 720 Kバイト