絶縁ゲートAlGaN/GaN-HFETの縦型動作

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM06029

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2006/11/28

タイトル(英語): A Vertical Operation of Insulated Gate AlGaN/GaN-HFETs

著者名: 兼近 将一(豊田中研),杉本 雅裕(トヨタ自動車),副島 成雅(豊田中研),上田 博之(豊田中研),石黒 修(豊田中研),樹神雅人 (豊田中研),林 栄子(豊田中研),上杉 勉(豊田中研),加地徹 (豊田中研)

著者名(英語): Masakazu Kanechika(TOYOTA Central R&D Labs.,Inc.),Masahiro Sugimoto(TOYOTA Motor Corp.),Narumasa Soejima(TOYOTA Central R&D Labs.,Inc.),Hiroyuki Ueda(TOYOTA Central R&D Labs.,Inc.),Osamu Ishiguro(TOYOTA Central R&D Labs.,Inc.),Masahito Kodama(TOYOTA Central R&D Labs.,Inc.),Eiko Hayashi(TOYOTA Central R&D Labs.,Inc.),Tsutomu Uesugi(TOYOTA Central R&D Labs.,Inc.),Tetsu Kachi(TOYOTA Central R&D Labs.,Inc.)

キーワード: 窒化ガリウム| GaN| 絶縁ゲート| Al GaN/G aN| ヘテロ接合| 縦型| 電界効果トランジスタ

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 741 Kバイト