最近のSiC デバイスプロセス技術

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM06034

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2006/11/28

タイトル(英語): Recent SiC device and process techniques

著者名: 福田 憲司()

著者名(英語): Kenji Fukuda()

キーワード: SiC| MOSFET| SBD| JFET| チャネル移動度| オン抵抗| シート抵抗| コンタクト抵抗

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 728 Kバイト