Ferroelectric Gate FET Memory based on Conduction of SBT-Silicon Oxide Interface

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM07011

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2007/07/10

タイトル(英語): Ferroelectric Gate FET Memory based on Conduction of SBT-Silicon Oxide Interface

著者名: Bong-Yeon Lee (Osaka University),Takaaki Minami(Osaka University),Takeshi Kanashima(Osaka University),Masanori Okuyama(Osaka University)

著者名(英語): Bong-Yeon Lee(Osaka University),Takaaki Minami(Osaka University),Takeshi Kanashima(Osaka University),Masanori Okuyama(Osaka University)

キーワード: memory|interface conduction|ferroelectric|ferroelectric gate FET|SBT|memory|interface conduction|ferroelectric|ferroelectric gate FET|SBT

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 279 Kバイト