ITOチャネル強誘電体ゲートFETの特性改善

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM07012

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2007/07/10

タイトル(英語): Improvement of electrical properties of ITO-channel ferroelectric-gate FETs

著者名: 徳光 永輔(東京工業大学),藤村 朋史(東京工業大学)

著者名(英語): Eisuke Tokumitsu(Tokyo Institute of Technology),Tomofumi Fujimura(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: 強誘電体|不揮発性メモリ|強誘電体ゲートFET|薄膜トランジスタ|酸化物半導体|(Bi|La)4Ti3O12(BLT)|ITO|ferroelectric material|nonvolatile memory|ferroelectric-gate FET|thin film transistor|oxide semiconductor|(Bi|La)4Ti3O12(BLT)|ITO

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 456 Kバイト