MOCVD法による（110）／（111）混在配向Bi4Ti3O12膜の低温形成

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM07013

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2007/07/10

タイトル(英語): Low-temperature deposition of coexisting (110)- and (111)-oriented Bi4Ti3O12 film grown on (111)-oriented Pt electrode by metalorganic chemical vapor deposition

著者名: 田中 浩之(松下電器産業),金子幸広 (松下電器産業),加藤剛久 (松下電器産業),嶋田 恭博(松下電器産業)

著者名(英語): Hiroyuki Tanaka(Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd.),Yoshihisa Kato(Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd.),Yukihiro Kaneko(Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd.),Yasuhiro Shimada(Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd.)

キーワード: Bi4Ti3O12(BiT)|有機金属化学気相堆積法(MOCVD)|低温形成|配向制御|エピタキシャル成長|界面|カーボン|核形成|(Bi4Ti3O12(BiT)|metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)|low-temperature deposition|orientation control|epitaxial growth|interface|carbon|nucleation

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 382 Kバイト