p-GaNショットキー接触のI-V，C-V特性　　－金属仕事関数依存性－

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM07015

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2007/11/30

タイトル(英語): I-V and C-V characteristics of p-GaN Schottky contacts ?Metal work function dependence?

著者名: 福島 慶広(福井大学),荻須 啓太(福井大学),葛原 正明(福井大学),塩島 謙次(福井大学)

著者名(英語): Yoshihiro Fukushima(University of Fukui),Keita Ogisu(University of Fukui),Masaaki Kuzuhara(University of Fukui),Kenji Shiojima(University of Fukui)

キーワード: p-GaN|金属－半導体接触|低Mgドーピング|ショットキー障壁高さ|S値

要約(日本語): 10種類の金属を用いて、I-V、C-V特性から測定したショットキー障壁高さの金属仕事関数依存性を求めた。ショットキー障壁高さはI-V特性で1.6eV以上の、C-V特性ではAgを除いて約2eVの高い値が得られた。金属仕事関数依存性はみられず、界面での強いフェルミー準位ピニングを示した。

要約(英語): Metal work function dependence of Schottky barrier height measured from I-V and C-V characteristics were investigated with ten kinds of metal films. The Schottky barrier height were high from I-V,C-V characteristics. Metal work function dependence indicat

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 328 Kバイト