多重台形チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの特性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM07017

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2007/11/30

タイトル(英語): AlGaN/GaN HEMTs with Multi-Mesa-Channel Structures

著者名: 田村 隆博(北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター),橋詰 保(北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター),小谷 淳二(北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター),葛西 誠也(北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター)

著者名(英語): Takahiro Tamura(Reserch Center for Integrated Quantum Electronics,Hokkaido University),Tamotsu Hashizume(Reserch Center for Integrated Quantum Electronics,Hokkaido University),Junji Kotani(Reserch Center for Integrated Quantum Electronics,Hokkaido University),Seiya Kasai(Reserch Center for Integrated Quantum Electronics,Hokkaido University)

キーワード: GaN| AlGaN| 高電子移動度トランジスタ(HEMT)| 多重台形チャネル(MMC)構造

要約(日本語): AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)のチャネル中における電界分布の均一性向上を図るため、ゲート電極直下となる領域に周期的なトレンチを形成し、多重台形チャネル(MMC)構造を作製した。MMC HEMTでは、一般的なプレーナ型のHEMTと比べしきい値電圧が浅くなった。さらに、120 Kから500 Kの広い温度領域において、飽和ドレイン電流がほとんど温度依存性を示さないという驚異的な特性が得られた。2次元ポテンシャル計算により、メサ上面および側面からの電界が2DEGを包み込むように制御し、チャ

要約(英語): We fabricated a multi-mesa-channel (MMC) structure by forming a periodic trench just under a gate electrode to improve the uniformity of effective electric field in the channel in an AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT). The MMC HEMT showed

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 353 Kバイト