導電性基板上GaN HEMTの縦方向電界による電流コラプス現象

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM07018

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2007/11/30

タイトル(英語): Current Collapse Phemonena of GaN-HEMTs Caused by Vertical Electric Field on Conductive Substrates

著者名: 吉岡 啓(株式会社東芝),新田 智洋(株式会社東芝),藤本 英俊(株式会社東芝),野田 隆夫(株式会社東芝),齋藤 泰伸(株式会社東芝)

著者名(英語): Akira Yoshioka(TOSHIBA Corporation),Tomohiro Nitta(TOSHIBA Corporation),Hidetoshi Fujimoto(TOSHIBA Corporation),Takao Noda(TOSHIBA Corporation),Yasunobu Saito(TOSHIBA Corporation)

キーワード: GaN-HEMT|パワー半導体デバイス|電流コラプス現象|DLTS

要約(日本語): 縦方向電界印加により電流コラプス現象が発生することが確認された。縦方向電界は導電性基板上で大きくなるため、この電流コラプスは導電性基板上GaN-HEMTに生じる特有の課題である。この縦方向電界コラプスに対するDLTS法による解析を実施した。その結果、電流コラプスに直接関係する準位として観測された。さらなる評価を実施することで、この電流コラプスの対策に有用な情報が得られると考えられる。

要約(英語): Current collapse phenomena of GaN-HEMTs caused by electric field perpendicular to wafer surface are discussed for the first time. It was found that 2DEG conductivity as AlGaN/GaN heterojunction decreases after applying the electric field perpendicular to

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 433 Kバイト