ＦＰ構造を有する高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスとゲートチャージ

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM07019

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2007/11/30

タイトル(英語): Current Collapse Phenomena and Gate Charge for High-Voltage GaN-HEMTs with FP structure

著者名: 齋藤 渉(東芝),新田 智洋(東芝),垣内 頼人(東芝),齋藤 泰伸(東芝),津田 邦男(東芝),大村一郎 (東芝),山口 正一(東芝)

著者名(英語): Wataru Saito(Toshiba Corp.),Tomohiro Nitta(Toshiba Corp.),Yorito Kakiuchi(Toshiba Corp.),Yasunobu Saito(Toshiba Corp.),Kunio Tsuda(Toshiba Corp.),Ichiro Omura(Toshiba Corp.),Masakazu Yamaguchi(Toshiba Corp.)

キーワード: GaN-HEMT、高耐圧、パワー半導体デバイス

要約(日本語): 高耐圧GaN-HEMTにおける低損失化に向けたフィールドプレート(FP)設計について検討した。940V/4.4素子において、Single-FP構造とDual-FP構造を試作し、コラプスによるオン抵抗増加とゲート･ドレインチャージを測定した。Dula-FPでオン抵抗増加を抑制できた。しかし、ゲート･ドレインチャージはSingle-FPの2倍となる。コラプスによるオン抵抗増加の方が大きいため、Dual-FPの方が低損失なFP設計となる。

要約(英語): The field plate (FP) design for high-voltage GaN-HEMTs is discussed to focus on the low power loss. 940V/4.4A GaN-HEMTs were fabricated employing single-FP or dual-FP structures. Since the increase of the conduction loss caused by the current collapse phe

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 341 Kバイト