高利得高効率電力増幅器用GaN-HEMT技術

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM07020

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2007/11/30

タイトル(英語): GaN-HEMT Technology for High Gain and High Efficiency Power Amplifiers

著者名: 星 真一(沖電気工業株式会社),大来 英之(沖電気工業株式会社),森野 芳昭(沖電気工業株式会社),伊藤正紀 (沖電気工業株式会社),関 昇平(沖電気工業株式会社)

著者名(英語): Shinichi Hoshi(Oki Electric Industry Co.,Ltd),Hideyuki Okita(Oki Electric Industry Co.,Ltd),Yoshiaki Morino(Oki Electric Industry Co.,Ltd),Masanori Itoh(Oki Electric Industry Co.,Ltd),Shouhei Seki(Oki Electric Industry Co.,Ltd)

キーワード: 高出力GaN-HEMT|高利得|高効率|オーミックコンタクト|ソースフィールドプレート電極

要約(日本語): 次世代基地局パワーアンプ用途として，ソースフィールドプレート構造パワーGaN-HEMTを開発した。2.14GHzにおいて，50V動作，50W出力，線形利得17dB及びドレイン効率58%という高利得高効率特性を実現した。

要約(英語): We have developed a GaN-HEMT device with a source field plate structure as a high output power amplifier for　next-generation base station applications. We attained high gain and very efficient RF characteristics with the operation voltage of 50 V, a satur

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 421 Kバイト