縦型GaNパワーデバイスの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM07021

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2007/11/30

タイトル(英語): Development of a Vertical GaN Power Device

著者名: 兼近 将一(豊田中央研究所),副島 成雅(豊田中央研究所),上田 博之(豊田中央研究所),石黒 修(豊田中央研究所),樹神雅人 (豊田中央研究所),林 栄子(豊田中央研究所),伊藤 健治(豊田中央研究所),上杉 勉(豊田中央研究所),加地徹 (豊田中央研究所),杉本 雅裕(トヨタ自動車)

著者名(英語): Masakazu Kanechika(TOYOTA Central R&D Labs.),Narumasa Soejima(TOYOTA Central R&D Labs.),Hiroyuki Ueda(TOYOTA Central R&D Labs.),Osamu Ishiguro(TOYOTA Central R&D Labs.),Masahito Kodama(TOYOTA Central R&D Labs.),Eiko Hayashi(TOYOTA Central R&D Labs.),Kenji Itoh(TOYOTA Central R&D Labs.),Tsutomu Uesugi(TOYOTA Central R&D Labs.),Tetsu Kachi(TOYOTA Central R&D Labs.),Masahiro Sugimoto \n (TOYOTA Motor Corp)

キーワード: 窒化ガリウム|GaN|絶縁ゲート|AlGaN/GaN|ヘテロ接合|縦型|電界効果トランジスタ

要約(日本語): 自立GaN基板を用いて，絶縁ゲート型の縦型GaNデバイスを作製した。GaN基板上にiGaN/AlN/p-GaN/n-GaNをMOCVDでエピした。縦方向電流経路（アパーチャ）はSiO2マスクでi-GaN/AlN/p-GaNをドライエッチングし，マスク除去後，マスクレスでAlGaN/n-GaNを再成長した。ゲート絶縁膜には50nmの膜厚のCVDで成膜したSiO2を用いた。測定の結果，しきい値電圧1V，オン抵抗50mΩcm2が得られた。

要約(英語): We fabricated a vertical GaN-based insulated gate heterojunction field effect transistor (HFET), using a free-standing GaN substrate. i-GaN/AlN/p-GaN/n-GaN was grown on an n-GaN substrate by MOCVD. The vertical current aperture was formed by dry-etching

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 316 Kバイト