GaN系MOSFETにおけるアンペアクラス250oC動作

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM07022

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2007/11/30

タイトル(英語): Ampere class 250oC operation GaN MOSFETs

著者名: 新山 勇樹(古河電気工業株式会社横浜研究所),神林 宏(古河電気工業株式会社横浜研究所),大友 晋哉(古河電気工業株式会社横浜研究所),野村 剛彦(古河電気工業株式会社横浜研究所),吉田 清輝(古河電気工業株式会社横浜研究所)

著者名(英語): Yuki Niiyama(Yokohama R&D Laboratory,The Furukawa Electric,Co.,Ltd.),Hiroshi Kambayashi(Yokohama R&D Laboratory,The Furukawa Electric,Co.,Ltd.),Shinya Ootomo(Yokohama R&D Laboratory,The Furukawa Electric,Co.,Ltd.),Takehiko Nomura(Yokohama R&D Laboratory,The Furukawa Electric,Co.,Ltd.),Seikoh Yoshida(Yokohama R&D Laboratory,The Furukawa Electric,Co.,Ltd.)

キーワード: パワーデバイス|ノーマリーオフ動作|GaN|MOSFET|大電流|高温動作

要約(日本語): 我々は，ノーマリーオフ型GaN系MOSFETを作製し，250oCにおいて，はじめてアンペア動作を実現した。ドレイン電流はVg=14 Vにおいて，2.2 Aであった。しきい値電圧は+3 Vであった。電界効果移動度は210 cm2/Vsであった。オン抵抗は9.4 mohm-cm2(Vg=Vd=+5 V)であった。

要約(英語): We investigated normally-off operation GaN metal?oxide?semiconductor field effect transistors (MOSFETs). We achieved a normally-off operation GaN MOSFETs and moreover highest temperature operation of 250oC. The drain current was 2.2 A at Vg = +14 V. Thres

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 298 Kバイト