Ru-Mo合金を用いた金属／high-k絶縁膜ゲートスタックの実効仕事関数制御

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM08001

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2008/05/14

タイトル(英語): Wide Controllability of Flatband Voltage in metal/high-k gate stack using Ru-Mo alloys

著者名: 大毛利健治 (早稲田大学／物質・材料研究機構),知京豊裕 (物質・材料研究機構),細井 卓治(大阪大学),渡部 平司(大阪大学),中島 清美(物質・材料研究機構),足立 哲也(物質・材料研究機構),石川 恵子(物質・材料研究機構),杉田 義博(半導体先端テクノロジーズ),奈良 安雄(半導体先端テクノロジーズ),大路譲 (半導体先端テクノロジーズ),白石 賢二(筑波大学),山部 紀久夫(筑波大学),山田 啓作(早)

著者名(英語): K.,Ohmori|T.,Chikyow|T.,Hosoi|H.,Watanabe|K.,Nakajima|T.,Adachi|A.,Ishikawa|Y.,Sugita|Y.,Nara|Y.,Ohji|K.,Shiraishi|K.,Yamabe|K.,Yamada

キーワード: 仕事関数|金属電極|high-k絶縁膜|ゲートスタック|コンビナトリアル手法|work function|metal electrodes|high-k dielectric films|gate stack|combinatorial method

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 932 Kバイト