HfSiON/TiNゲートスタックpMOSFETの陰極電子注入絶縁破壊モデルに基づくTDDB寿命予測方法

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM08002

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2008/05/14

タイトル(英語): Cathode Electron Injection Breakdown Model and Time Dependent Dielectric Breakdown Lifetime Prediction in High-k / Metal Gate Stack pMOSFETs

著者名: 佐藤 基之(半導体先端テクノロジーズ),青山 敬幸(半導体先端テクノロジーズ),奈良 安雄(半導体先端テクノロジーズ),大路 譲(半導体先端テクノロジーズ),蓮沼 隆(筑波大学),山部 紀久夫(筑波大学),白石 賢二(筑波大学),宮崎 誠一(広島大学),山田 啓作(早稲田大学)

著者名(英語): Motoyuki Sato(Semiconductor Leading Edge Technologies Inc.),Takayuki Aoyama(Semiconductor Leading Edge Technologies Inc.),Yasuo Nara(Semiconductor Leading Edge Technologies Inc.),Yuzuru Ohji(Semiconductor Leading Edge Technologies Inc.),Ryu Hasunuma(University of Tsukuba),Kikuo Yamabe(University of Tsukuba),Kenji Shiraishi(University of Tsukuba),Seiichi Miyazaki(Hiroshima University),Keisaku Yamada(Waseda University)

キーワード: 経時的絶縁破壊|陰極電子注入|実効的仕事関数|酸素欠損|TDDB|cathode electron injection|effective workfunction|oxygen vacancy

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 792 Kバイト