混載メモリ応用へ向けた相制御Ni-FUSI/HfSiONゲートスタックのインテグレーション技術

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM08003

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2008/05/14

タイトル(英語): Integration Technology of PC-FUSI (Phase Controlled FUSI) / HfSiON Gate Stack for Embedded Memory Application

著者名: 西藤哲史 (日本電気),増崎幸治 (NECエレクトロニクス),高橋 健介(日本電気),砂村潤 (NECエレクトロニクス),間部 謙三(NECエレクトロニクス),辰巳 徹(日本電気),渡辺 啓仁(NECエレクトロニクス),小倉 卓(NECエレクトロニクス),白井 浩樹(NECエレクトロニクス)

著者名(英語): Motofumi Saitoh(NEC Corporation),Koji Masuzaki(NEC Electronics Corporation),Kensuke Takahashi(NEC Corporation),Hiroshi Sunamura(NEC Electronics Corporation),Kenzo Manabe(NEC Electronics Corporation),Toru Tatsumi(NEC Corporation),Hirohito Watanabe(NEC Ele),Takashi Ogura(NEC Ele),Hiroki Shirai(NEC Ele)

キーワード: Niシリサイド|Hfシリケート|高誘電率ゲート絶縁膜|金属ゲート電極|Ni Silicide|Hf Silicate|High-k|metal gate

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 756 Kバイト