Ge表面酸化および窒化処理とHigh-kゲートスタック構造形成プロセス

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM08004

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2008/05/14

タイトル(英語): Oxidation and radical nitridation processes of Ge surfaces and fabrication of High-k/Ge stack structures

著者名: 近藤博基 (名古屋大学),坂下 満男(名古屋大学),中塚 理(名古屋大学),小川 正毅(名古屋大学),財満鎭明 (名古屋大学)

著者名(英語): Hiroki Kondo(Nagoya University),Mitsuo Sakashita(Nagoya University),Osamu Nakatsuka(Nagoya University),Masaki Ogawa(Nagoya University),Shigeaki Zaima(Nagoya University)

キーワード: Ge(001)|酸化|ラジカル窒化|High-kゲート絶縁膜|X線光電子分光|走査トンネル顕微鏡|Ge(001)|Oxidation|Radical nitridation|High-k gate dielectric|X-ray photoelectron spectroscopy|Scanning tunneling microscopy

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,945 Kバイト