Si原子層により終端されたGe MIS界面特性とその反転層正孔移動度への影響

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM08005

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2008/05/14

タイトル(英語): Effects of Si Passivation on Ge Metal-Insulator-Semiconductor Interface Properties and Inversion-layer Hole Mobility

著者名: 田岡 紀之(半導体MIRAI-ASRC),原田 真臣(半導体MIRAI-ASET),山下 良美(半導体MIRAI-ASET),山本 豊二(半導体MIRAI-ASET),杉山 直治(半導体MIRAI-ASET),高木信一東京大学 (東京大学,半導体MIRAI-ASRC)

著者名(英語): Noriyuki Taoka(MIRAI-ASRC),Masatomi Harada(MIRAI-ASET),Yoshimi Yamashita(MIRAI-ASET),Toyoji Yamamoto(MIRAI-ASET),Naoharu Sugiyama(MIRAI-ASET),Shin-ichi TakagiThe University of Tokyo (The University of Tokyo,MIRAI-ASRC)

キーワード: ゲルマニウム|Ge MIS|界面準位|固定電荷|Siパッシベーション|反転層正孔移動度|Germanium|Ge MIS|interface trap|fixed oxide charge|Si passivation|inversion-layer hole mobility

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 704 Kバイト