3D Interconnect向けSiエッチング技術

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM08018

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2008/05/19

タイトル(英語): Si Etching Technology for 3D Interconnect

著者名: 阿部 祐一(東京エレクトロン),丸山 幸児(東京エレクトロンAT),平山 祐介(東京エレクトロンAT),永関一也AT (東京エレクトロンAT)

著者名(英語): Yuichi Abe(Tokyo Electron Ltd.),Koji Maruyama(Tokyo Electron AT Ltd.),Yusuke Hirayama(Tokyo Electron AT Ltd.),Kazuya Nagaseki(Tokyo Electron AT Ltd.)

キーワード: 3次元積層実装|Si貫通配線|Siエッチング|VHF-CCPエッチング装置|3D interconnect|Through-Si via|Si etching|VHF-CCP etching system

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,193 Kバイト