Deep Silicon Etch for TSV application - for increased performance and productivity

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM08019

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2008/05/19

タイトル(英語): Deep Silicon Etch for TSV application - for increased performance and productivity

著者名: Sharma Pamarthy(Applied Materials Inc.),Jon Farr(Applied Materials Inc.),Khalid Sirajuddin(Applied Materials Inc.),Ajay Kumar(Applied Materials Inc.)

著者名(英語): Sharma Pamarthy(Applied Materials Inc.),Jon Farr(Applied Materials Inc.),Khalid Sirajuddin(Applied Materials Inc.),Ajay Kumar(Applied Materials Inc.)

キーワード: Through Silicon Via(TSV)|Via|Deep Silicon Etch|Time multiplexed gas modulation(TMGM)|DPS|Via First|Via Last|CD(Critical Dimension)|Inductive Plasma|Scallop|Through Silicon Via(TSV)|Via|Deep Silicon Etch|Time multiplexed gas modulation(TMGM)|DPS|Via Firs

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 944 Kバイト