3D-SiP向けシリコン貫通電極技術

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM08020

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2008/05/19

タイトル(英語): Through-silicon Via Technology for 3D-SiP

著者名: 田中 直敬(日立機械研),吉村保廣 (日立機械研),川下 道宏(日立機械研),植松 俊英(ルネサステクノロジ),内藤 孝洋(ルネサステクノロジ),赤沢 隆(ルネサステクノロジ)

著者名(英語): Naotaka Tanaka(Hitachi,Ltd.),Yasuhiro Yashimura(Hitachi,Ltd.),Michihiro Kawashita(Hitachi,Ltd.),Toshihide Uematsu(Renesas Technology Corp.),Takahiro Naito(Renesas Technology Corp.),Takashi Akazawa(Renesas Technology Corp.)

キーワード: 貫通電極|かしめ|常温接続|ドライエッチング|三次元接続|Through silicon via (TSV)|Mechanical caulking|Room temperature bonding|Dry etching|3D-interconnection

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,654 Kバイト