超臨界流体を用いたCu薄膜堆積～成膜特性検討と貫通電極プロセスへの適用の試み

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM08021

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2008/05/19

タイトル(英語): CU FILM DEPOSITION FROM SUPERCRITICAL CARBON DIOXIDE FLUIDS FOR 3D-IC THRU VIA FORMATION

著者名: 松原 正弘(山梨大学),近藤英一 (山梨大学)

著者名(英語): Masahiro Matsubara(University of Yamanashi),Eiichi Kondoh(University of Yamanashi)

キーワード: 超臨界流体|Cu配線|貫通電極|TSV|supercritical fluids|copper interconnect|through-silicon-via

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 658 Kバイト