SiGe/SiヘテロチャネルMOSFETにおける過渡チャージポンピング特性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM08024

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2008/09/27

タイトル(英語): Transient Charge-Pumping Characteristics in SiGe/Si-Hetero-Channel MOSFETs

著者名: 土屋 敏章(島根大学),櫻庭 政夫(東北大学),室田 淳一(東北大学)

著者名(英語): Toshiaki Tsuchiya(Shimane University),Masao Sakuraba(Tohoku University),Junichi Murota(Tohoku University)

キーワード: MOS|ヘテロ構造|SiGe|シリコン|チャージポンピング|界面準位|MOS|hetero structure|SiGe|Si|charge pumping|interface trap

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 535 Kバイト