高制御Si/SiGeエピタキシャル成長による超低消費電力SiGe HBTの実現

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM08025

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2008/09/27

タイトル(英語): Ultra-low-power SiGe HBT Technology with Precisely Controlled Si/SiGe Epitaxial Growth

著者名: 三浦 真(日立製作所),小田 克矢(日立製作所),島本 裕巳(ルネサス北日本セミコンダクタ),鷲尾 勝由(日立製作所)

著者名(英語): Makoto Miura(Hitachi,Ltd.),Katsuya Oda(Hitachi,Ltd.),Hiromi Shimamoto(Renesas Northern Japan Semiconductor. Inc.),Katsuyoshi Washio(Hitachi,Ltd.)

キーワード: 超低消費電力SiGe HBT|エピタキシャル成長エミッタ|エミッタ/ベース接合容量|コレクタ電流密度|遮断周波数|ultra-low-power SiGe HBT|epitaxially grown emitter|emitter-base junction capacitance|collector current density|cut-off frequency

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 571 Kバイト