SSON構造から作製したGAA型ひずみチャネルSi-MOSFETの電気特性とNBDによるひずみの評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM08027

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2008/09/27

タイトル(英語): Fabrication and evaluation of GAA strained-Si MOSFET formed from SSON structures and strain analysis of strain in the MOSFET by NBD method

著者名: 臼田 宏治(半導体MIRAI-ASET),中払周 (半導体MIRAI-ASET),入沢 寿史(半導体MIRAI-ASET),守山 佳彦(半導体MIRAI-ASET),平下 紀夫(半導体MIRAI-ASET),手塚勉 (半導体MIRAI-ASET),杉山 直治(半導体MIRAI-ASET),山下 良美(半導体MIRAI-ASET),山本豊二 (半導体MIRAI-ASET),木曽修 (半導体MIRAI-産総研ASRC),田岡 紀之(半導体MIRAI-産総研ASRC),高木 信一(東大)

著者名(英語): K. Usuda(MIRAI-ASET),S. Nakaharai(MIRAI-ASET),T. Irisawa(MIRAI-ASET),Y. Moriyama(MIRAI-ASET),N. Hirashita(MIRAI-ASET),T. Tezuka(MIRAI-ASET),N. Sugiyama(MIRAI-ASET),Y. Yamashita(MIRAI-ASET),O. Kiso(MIRAI-ASET),T. Yamamoto(MIRAI-ASET),N. Taoka(MIRAI-ASRC),S. Takagi(The Univ. of Tokyo)

キーワード: ひずみ|チャネル|Si|Ge|MOSFET|SOI|SSOI|SON|SSON|NBD|strain|channel|Si|Ge|MOSFET|SOI|SSOI|SON|SSON|NBD

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 565 Kバイト