Ge1-xSnxバッファ層上への伸張歪Ge層形成と歪・転位構造制御

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM08028

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2008/09/27

タイトル(英語): Formation of Tensile-Strained Ge Layers on Ge1-xSnx Buffer Layers and Control of Strain and Dislocation Structures

著者名: 中塚 理(名古屋大学),志村 洋介(名古屋大学),財満鎭明 (名古屋大学),酒井 朗(大阪大学)

著者名(英語): Osamu Nakatsuka(Nagoya University),Yosuke Shimura(Nagoya University),Shigeaki Zaima(Nagoya University),Akira Sakai(Osaka University)

キーワード: ゲルマニウム|錫|シリコン|エピタキシャル成長|歪|転位構造|Germanium|tin|silicon|epitaxial growth|strain|dislocation structure

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 982 Kバイト