絶縁膜上における非晶質SiGeのインデント誘起固相成長

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM08029

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2008/09/27

タイトル(英語): Indentation-Induced Solid-Phase Crystallization of SiGe on Insulator

著者名: 都甲 薫(九州大学),佐道泰造 (九州大学),宮尾 正信(九州大学)

著者名(英語): Kaoru TOKO(Kyushu University),Taizoh SADOH(Kyushu University),Masanobu MIYAO(Kyushu University)

キーワード: SiGe|インデント|固相成長|核発生|集積回路|SiGe|indentation|solid-phase crystallization|nucleation|large scale integrated circuit

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 809 Kバイト