真空一貫原子制御PVDプロセスによるTiO2/HfSiO/SiO2積層構造High-k絶縁膜の作製と電気特性評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM08030

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2008/09/27

タイトル(英語): Fabrication of Advanced TiO2/HfSiO/SiO2 Layered Higher-k Dielectrics by Atomically Controlled In-situ PVD-Based Method

著者名: 渡部 平司(大阪大学),有村 拓晃(大阪大学),奥 雄大(大阪大学),細井 卓治(大阪大学),志村 考功(大阪大学),北野 尚武(大阪大学,キヤノンアネルバ),内藤裕一(産業技術総合研究所),山口述夫(キヤノンアネルバ),小須田求(キヤノンアネルバ)

著者名(英語): Heiji Watanabe|Hiroaki Arimura|Yudai Oku|Takuji Hosoi|Takayoshi Shimura|Naomu Kitano|Yuichi Naitou|Nobuo Yamaguchi|Motomu Kosuda

キーワード: 高誘電率ゲート絶縁膜|メタル電極|真空一貫プロセス|界面固相反応|界面電気特性|High-k gate dielectric|metal electrode|in-situ process|solid phase interface reaction|interface property

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 783 Kバイト