トリメチルアミノシラン・オゾンを用いたシリコン酸化膜の原子層堆積法の素反応解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM08031

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2008/09/27

タイトル(英語): Reaction kinetics on SiO2 atomic layer deposition with tris-dimethyl aminosilane and ozone

著者名: 廣瀬 文彦(山形大),木下 友太(山形大),成田 克(山形大),宮 博信(日立国際電気),平原 和弘(信越化学),木村 康男(東北大),庭野 道夫(東北大)

著者名(英語): Fumihiko Hirose(Yamagata University),Yuta Kinoshita(Yamagata University),Yuzuru Narita(Yamagata University),Hironobu Miya(Hitachi- Kokusai),Kazuhiro Hirahara(Shinetsu-chemical),Yasuo Kimura(Tohoku univ),Michio Niwano(Tohoku univ)

キーワード: 原子層堆積|ゲート|吸着|酸化|赤外吸収分光|Si|SiO2|ALD|atomic layer deposition|gate stack|adsorption|oxidization|IR absorption spectroscopy|Si|SiO2

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 458 Kバイト