グラフェン形成のためのSi(110)基板上3C-SiC(111)成長

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM08032

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2008/09/27

タイトル(英語): Growth of 3C-SiC(111) on Si(110) substrate for graphene formation

著者名: 末光 眞希(CREST,東北大学),宮本 優(東北大学),半田 浩之(東北大学),今野 篤史(東北大学)

著者名(英語): Maki Suemitsu(CREST,Tohoku University),Yu Miyamoto(Tohoku University),Hiroyuki Handa(Tohoku University),Atsushi Konno(Tohoku University)

キーワード: 炭化ケイ素|ヘテロエピタキシ|有機シラン|ガスソースMBE|グラフェン|silicon carbide|heteroepitaxy|organosilane|gas-source MBE|graphene

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 456 Kバイト