Si1-xGexエピタキシー技術と低次元デバイスへの応用

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM08033

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2008/09/27

タイトル(英語): Si1-xGex Epitaxy Techniques and Their Application to Low Dimensional Devices

著者名: 須田 良幸(東京農工大学),花房 宏明(東京農工大学),大窪 隆文(東京農工大学)

著者名(英語): Yoshiyuki Suda(Tokyo University of Agriculture & Technology),Hiroaki Hanafusa(Tokyo University of Agriculture & Technology),Takafumi Okubo(Tokyo University of Agriculture & Technology)

キーワード: シリコン|ゲルマニウム|エピタキシー|歪緩和|共鳴トンネルダイオード|スパッタ|不整合転位|貫通転位|クロスハッチ|歪率|Silicon|Germanium|epitaxy|strain relaxation|resonant tunnel diode|sputter|misfit dislocation|threading dislocation|cross hatch|strain rate

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 607 Kバイト