ナノメートルオーダ歪SiGe/Si(100)ヘテロ構造によるホール共鳴トンネルダイオードの製作と高性能化

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM08034

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2008/09/27

タイトル(英語): Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes Utilizing Nanometer-Order Strained SiGe/Si(100) Heterostructures with High Ge Fraction

著者名: 櫻庭 政夫(東北大学),伊東良太 (東北大学),瀬尾 高広(東北大学),室田 淳一(東北大学)

著者名(英語): Masao Sakuraba(Tohoku University),Ryota Ito(Tohoku University),Takahiro Seo(Tohoku University),Junichi Murota(Tohoku University)

キーワード: 共鳴トンネルダイオード|SiGe|Si|歪ヘテロ構造|エピタキシャル成長|負性抵抗|resonant tunneling diode|SiGe|Si|strained heterostructure|epitaxial growth|negative differential conductance

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 623 Kバイト