GaN 表面の電気化学酸化とデバイス表面制御への応用

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM08035

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2008/11/07

タイトル(英語): Electrochemical oxidation of GaN for surface control of GaN-based devices

著者名: 塩崎 奈々子(北海道大学),原田 脩央(北海道大学),橋詰 保(北海道大学)

著者名(英語): Nanako Shiozaki(Hokkaido University),Naohisa Harada(Hokkaido University),Tamotsu Hashizume(Hokkaido University)

キーワード: GaN|AlGaN|高電子移動度トランジスタ(HEMT)|酸化|電気化学プロセス|表面制御|GaN|AlGaN|high electron mobility transistor (HEMT)|oxidation|electrochemical process|surface control

要約(英語): The electrochemical oxidation process using a glycol solution has been applied to .n-GaN surface. An X-ray photoelectronspectroscopy analysis showed the formation of amorphous Ga2O3 on the GaN surface. The oxide layer is easily etched in alkalisolutions.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 446 Kバイト