高耐圧GaN-HEMTにおけるバッファ層構造と電気的特性の相関

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM08036

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2008/11/07

タイトル(英語): Relation between Buffer Layer Structure and Electrical Characteristics in High-Voltage GaN-HEMTs

著者名: 齋藤 渉(東芝),野田 隆夫(東芝),蔵口 雅彦(東芝),高田 賢治(東芝),津田 邦男(東芝),齋藤 泰伸(東芝),大村一郎 (東芝),山口 正一(東芝)

著者名(英語): Wataru Saito(Toshiba),Takao Noda(Toshiba),Masahiko Kuraguchi(Toshiba),Yoshiharu Takada(Toshiba),Kunio Tsuda(Toshiba),Yasunobu Saito(Toshiba),Ichiro Omura(Toshiba),Masakazu Yamaguchi(Toshiba)

キーワード: GaN-HEMT|高耐圧|パワー半導体デバイス|GaN-HEMT|High-Voltage|Power Semiconductor Device

要約(日本語): ２種類のバッファ層構造を用いて高耐圧GaN-HEMTを試作し、バッファ層構造による高電圧印加時のリーク電流と電流コラプスによるオン抵抗増加の変化を調べた。AlN/n-GaN/AlN構造を用いると、AlN/n-GaNへテロ構造のポテンシャルバリアとn-GaN層が空乏化されないことで、リーク電流を低減することができる。更に、刃状転位密度が低減することで、電流コラプスによるオン抵抗増加を抑制することができる。

要約(英語): High-voltage (>400 V) GaN-HEMTs were fabricated using two types of heterostructures with different buffer layer structures. The buffer layer structure affected the crystal defect density in grown AlGaN/GaN heterostructure. The static on-resistance under l

原稿種別: 日本語

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