VT-VSUB特性を用いたp-GaN上のAlGaN/GaN HFETバッファ層評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM08037

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2008/11/07

タイトル(英語): Buffer layercharacterization by VT-VSUB characteristics of of AlGaN/GaN HFET with p-type GaN substrate

著者名: 胡成余(徳島大学),中谷 克俊(徳島大学),敖金平(徳島大学),大野 泰夫(徳島大学),菊田 大悟(豊田中研),杉本 雅裕(トヨタ自動車)

著者名(英語): Cheng-Yu Hu|Katsutoshi Nakatani|Jin-Ping Ao|Yasuo Ohno|Daigo Kikuta|Masahiro Sugimoto

キーワード: VT-VSUB|トラプ|HFET|p-GaN基板|基板バイアス|活性化エネルギー|VT-VSUB|trap|HFET|p-GaN substrate|substrate bias|activation energy

要約(英語): In this work, we fabricated p-sub AlGaN/GaN HFETs with AlGaN/GaN heterostructure regrown on p-GaN epi-layer. Severe outdiffusion of Mg dopants was found with SIMS measurement, which caused p-type doping in the buffer layer (i-GaN). Utilizing VT-VSUB analy

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 484 Kバイト