AlGaN/GaN HFETのゲートエッジ負帯電による電流コラプスの2次元数値解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM08038

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2008/11/07

タイトル(英語): Two-dimensional Numerical Analysis of Current Collapse by Gate Edge Negative Electrification of AlGaN/GaN HFET

著者名: 井川 裕介(徳島大学),湯浅 頼英(徳島大学),胡成余 (徳島大学),敖金平 (徳島大学),大野 泰夫(徳島大学)

著者名(英語): Yusuke Ikawa(Tokushima University),Yorihide Yuasa(Tokushima University),Cheng-Yu Hu(Tokushima University),Jin-Ping Ao(Tokushima University),Yasuo Ohno(Tokushima University)

キーワード: HFET|電流コラプス|負帯電|仮想ゲート|界面準位|HFET|current collapse|negative electrification|virtual gate|interface state

要約(日本語): 界面準位によるAlGaN/GaN HFETの電流コラプス現象について2次元デバイスシミュレータを用いて解析した。表面に負電荷が注入されると、ゲートのホールフェルミ準位に界面準位をピンニングするためホールの蓄積が起こる。このため、真性ゲートと表面電位が一定である仮想ゲートとの２つのFETの直列接続が形成される。これにより、Id-Vd特性は、二段階飽和特性を示す。キャリア分布の特徴から、一段目の飽和は仮想ゲートFET部のピンチオフで起こり、二段目の飽和は真性ゲートFET部分のピンチオフで起こることを示した。

要約(英語): Current collapse in AlGaN/GaN HFET caused by interface states is investigated using 2-dimensional device simulator. When negative charges are injected the surface region, holes are accumulate at the region so as to pin the interface states at the gate hol

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 396 Kバイト