高耐圧 E-mode AlGaN/GaN HEMT 実現のための新規リセス構造

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM08039

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2008/11/07

タイトル(英語): A Novel Gate Recess Structure for E-mode AlGaN/GaN HEMTs with High Breakdown Voltage

著者名: 多木 俊裕(富士通),吉川 俊英(富士通),金村 雅仁(富士通),今西 健治(富士通),原 直紀(富士通),常信和清 (富士通)

著者名(英語): Toshihiro Ohki(Fujitsu),Toshihide Kikkawa(Fujitsu),Masahito Kanamura(Fujitsu),Kenji Imanishi(Fujitsu),Naoki Hara(Fujitsu),Kazukiyo Joshin(Fujitsu)

キーワード: 窒化ガリウム|高電子移動度トランジスタ|エンハンスメントモード|ノーマリオフ|耐圧|リセス|GaN|HEMT|E-mode|normally-off|breakdown voltage|gate recess

要約(日本語): 今回、3層キャップ構造とリセスゲート構造を用いた構造により、高耐圧、高いドレイン電流密度、小さな電流コラプスの全てを満たすE-mode AlGaN/GaN HEMTを得ることができた。増幅器としての出力は126 Wに達し、良好な歪特性を得ることができた。

要約(英語): A novel piezoelectric-induced cap structure in an AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) was developed for enhancement-mode (E-mode) operation with high breakdown voltage (BVgd), high maximum drain current density (Idmax) and small current col

原稿種別: 日本語

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