ノーマリオフ型GaN系RESURF-MOSFETにおける1500 V/2 A動作

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM08040

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2008/11/07

タイトル(英語): 1500 V/2 A operation Normally-off GaN RESURF-MOSFETs

著者名: 新山 勇樹(古河電工),神林 宏(古河電工),大友 晋哉(古河電工),池田 成明(古河電工),野村 剛彦(古河電工),加藤禎宏 (古河電工)

著者名(英語): Yuki Niiyama(Furukawa),Hiroshi Kambayashi(Furukawa),Shinya Ootomo(Furukawa),Nariaki Ikeda(Furukawa),Takehiko Nomura(Furukawa),Sadahiro Kato(Furukawa)

キーワード: パワーデバイス|ノーマリオフ動作|GaN|RESURF-MOSFET|高耐圧|大電流|power devices|normally-off operation|GaN|RESURF-MOSFET|high breakdown voltage|large current

要約(日本語): GaNはSiやSiCに比べて高い絶縁破壊電界，高い飽和ドリフト速度を有していることから，高耐圧・大電流を扱うパワートランジスタの材料として有望である。パワートランジスタは，フェールセーフの面から，ノーマリオフ型が望ましい。そのため，ノーマリオフ動作するMOSFET構造の研究が進んでいる。しかしながら，GaN系MOSFETのデバイス動作の報告はあるものの，同一素子において，数百ボルト以上の高耐圧を報告した例はない。本研究では，GaN系MOSFETの高耐圧化のために，ゲートとドレインの間に，N-型のRESUR

要約(英語): GaN is a good candidate for power transistors because of its high critical electric field and high saturation velocity compared with Si and SiC. Power transistor has been required for normally-off operation in terms of fail safe. Therefore, several resear

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 420 Kバイト