IGBTのスイッチング損失と素子容量の関連解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM09026

グループ名: 【C】電子･情報･システム部門　電子材料研究会

発行日: 2009/10/29

タイトル(英語): Investigation of Correlation between Device Structures and Switching Losses of IGBTs

著者名: 町田 悟(豊田中央研究所),杉山 隆英(豊田中央研究所),石子 雅康(豊田中央研究所),保田 智史(トヨタ自動車),斎藤 順(トヨタ自動車),濱田 公守(トヨタ自動車)

著者名(英語): Satoru Machida(Toyota Central R&D Labs.,Inc.),Takahide Sugiyama(Toyota Central R&D Labs.,Inc.),Masayasu Ishiko(Toyota Central R&D Labs.,Inc.),Satoshi Yasuda(Toyota Motor Corp.),Jun Saito(Toyota Motor Corp.),Kimimori Hamada(Toyota Motor Corp.)

キーワード: IGBT|スイッチング損失|入力容量|帰還容量|IGBT|Switching Power Dissipation|Input Capacitance|Feedback Capacitance

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 527 Kバイト