新しい受動ゲート駆動法によるL-IGBTの高性能化

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM09032

グループ名: 【C】電子･情報･システム部門　電子材料研究会

発行日: 2009/10/30

タイトル(英語): A Novel Driving Technology for a Passive Gate on a Lateral-IGBT

著者名: 寺島 知秀(三菱電機)

著者名(英語): Tomohide Terashima(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: 横型IGBT|受動PMOS|インテリジェントパワーデバイス|L-IGBT|Lateral-IGBT|Passive PMOS|Intelligent Power Device|IPD

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 718 Kバイト