有機薄膜トランジスタ高性能化への提案

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM10009

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日: 2010/05/21

タイトル(英語): A Proposal of High Performance Organic Thin Film Transistor

著者名: 和田 恭雄(東洋大学),鳥谷部 達(東洋大学)

著者名(英語): Wada Yasuo(Toyo University),Toyabe Toru(Toyo University)

キーワード: 有機薄膜トランジスタ|トップコンタクト|ボトムコンタクト|性能差|基本性能|高キャリア濃度層|organic thin film transistor|top contact|bottom contact|characteristics differences|intrinsic characteristics|high carrier concentration

要約(日本語): OTFTの特性が低い原因、ならびにトップコンタクトデバイスの方がボトムコンタクトよりも性能が高い原因が、従来考えられていたように有機半導体と金属電極のコンタクト抵抗や有機半導体の結晶性の悪さなどに起因するのではなく、従来のOTFTの構造自身、即ちソース・ドレイン部分に高キャリア濃度層が無いためであることがOTFTデバイスシミュレータＴＯＴＡＳ（Toyo University Organic Thin Film Transistor Advanced Simulator）により明らかにできた。

要約(英語): The differences in drain current and drain voltage (Id-Vd) characteristics of top and bottom contact Organic Thin Film Transistors (OTFTs) are analyzed by an OTFT devices simulator, which makes it possible to derive Id-Vd characteristics, potential distribution and hole concentration distribution by solving Poisson’s equation and current continuity equation. It is found that the intrinsic characteristics of top contact devices are superior to those of the bottom contact ones, which is usually believed to be due to poor contact characteristics and poor semiconductor quality of bottom contact OTFTs.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 903 Kバイト